Výrobca Číslo produktu:
TSM8N80CI C0G
Product Overview
Výrobca:
Taiwan Semiconductor Corporation
Číslo dielu:
TSM8N80CI C0G-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventár:
995 Ks Nové Originálne Na Sklade
12895728
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
TSM8N80CI C0G Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tube
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1921 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40.3W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
ITO-220AB
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Základné číslo produktu
TSM8N80
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
-2068-TSM8N80CIC0GDKR
-2068-TSM8N80CIC0G
TSM8N80CI C0G-DG
TSM8N80CIC0G
-2068-TSM8N80CIC0GDKR-DG
-2068-TSM8N80CIC0GDKRINACTIVE
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMP2066UFDE-7
MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
TSM60NB099PW C1G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
TSM045NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN
